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　內(nèi)地氮化鎵半導體廠商英諾賽科(02577.HK)今日起招股，擬全球發(fā)售4536.4萬股，其中香港公開發(fā)售佔10%，設(shè)15%超額配股權(quán)。招股下周一截止，料12月30日上市。招股價範圍在30.86元至33.66元，每手100股，入場費3399.95元，料最多集資15.27億元。

　氮化鎵作為第三代半導體代表性材料，憑藉高頻、耐高壓、抗輻射、高電子遷移率等優(yōu)勢，在電動汽車及數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電站及電網(wǎng)等下游市場展現(xiàn)廣闊的應(yīng)用潛力。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，2023年，氮化鎵功率半導體產(chǎn)業(yè)開啟了指數(shù)級增長的元年，預計市場將迅速增長。到2028年，全球氮化鎵功率半導體市場規(guī)模將達到人民幣501億元，在全球功率半導體市場的市佔率提升至10.1%，並佔全球功率半導體分立器件市場的24.9%，為行業(yè)參與者帶來前所未有的機遇。